设计RCD缓冲电路时，预先设定缓冲电容器电压（Vcsn)和反射电压（VR),VR时次级输出绕组通过变压器匝比的反射电压. 当MOSFET关断时，Lk电流保持初始方向，忽略流向Coss的电流，假设全部电流流向Csn,相当于电感器与电压源串联，为电容器充电，故可从公式1计算出漏感的放电时间。

编辑推荐： 细胞死亡调节因子 1（RCD-1）作用机制不明，研究人员对其展开研究。通过多种实验技术，发现 RCD-1 可结合酸性脂质膜、形成孔并诱导膜弯曲，这为理解真菌细胞死亡机制及调控细胞焦亡提供了新思路。

剩余电流保护装置 RCD 是运用最多的一种电器元件。在规定条件下，当被保护电路中剩余电流超过设定值时，能自动断开电路或发出报警信号的继电保护装置。剩余电流动作保护装置采用自动切断电源的保护原理。在直接接触防护中作为防止电击危险的基本保护措施的附加保护；在间接接触防护中 ...

第3代DDR5 RCD：速率带宽进一步提升高（6400MT/s） RCD全称Registered Clock Driver（寄存器时钟驱动器），是服务器内存 RDIMM 和 LRDIMM 的核心组件。 RCD是服务器CPU和内存之间的通信中枢，通过接收CPU的指令，然后发送到DIMM上的各个内存芯片。

Rambus宣布推出最新的RCD(registering clock driver)芯片，传输速度可达6400 MT/s，标志着DDR5内存性能的飞跃。随着CPU频率和核心数量的增加，如果内存性能跟不上CPU的性能，就会迅速成为系统瓶颈，Rambus希望通过RCD来解决这个问题 ...

额定剩余动作电流IΔn确定时要充分考虑电气设备和线路在正常条件下的对地泄露电流，必要时需要实际测量正常情况下被保护线路和被保护设备对地泄露电流。 RCD的额定剩余动作电流IΔn应大于正常泄露电流的2… ...

RCD Clamp不同于Snubber模式，其目的是限制开关管关断瞬间其两端的最大尖峰电压，而开关管本身的损耗基本不变。 在工作原理上电压钳位模式RC的放电时间常数比抑制电压上升率模式更长。 以图2为例分析电路的工作过程，并且使用工作于反激式变换器的变压器模型。